FDZ391P

飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出采用1 x 1.5 x 0.4mm wl-csp封装的单一p沟道mosfet器件fdz391p，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。fdz391p采用飞兆半导体的1.5v额定电压powertrench工艺设计，结合先进的wl-csp封装，将rds(on)和所需的pcb空间减至最小。这款p沟道mosfet器件的侧高比标准p沟道mosfet降低40%，可满足下一代手机、mp3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低rds(on)(74mohm typical @ -4.5v vgs)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能(1.9w)。 fdz391p丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括μserdes串化器/解串器、intellimax先进负载开关、usb开关、dc-dc转换器、逻辑电平转换器和许 ...

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为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求，飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm wl-csp封装的单一p沟道mosfet器件fdz391p。该器件采用飞兆半导体的1.5v额定电压powertrench工艺设计，结合先进的wl-csp封装，将rds(on)和所需的pcb空间减至最小。这款p沟道mosfet器件的侧高比标准p沟道mosfet降低40%，可满足下一代手机、mp3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低rds(on)(74mohm typical@-4.5v vgs)，能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能(1.9w)。 fdz391p丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案，这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验，这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸，并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括μserdes串化器/解串器、intellimax先进负载开关、usb开关、dc-dc转换器、逻辑电平转换器和许多其它功率管理及信号 ...

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