| 描述 | MOSFET 30V/12V NCh SYNCFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0072 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | BGA-30 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 18 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.2 W |
| 上升时间 | 12 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
e capacitance）的mosfet并降低开关频率以外，几乎没有别的办法能够减小使这些损耗。一般而言，这类损耗小于电路总损耗的1－3％。可视为二级效应。元件选择 应用本应用的拓扑结构是同步降压转换器，它比其他拓扑可以提供更佳的简化和高效率组合，以及最低的总体成本。图1b所示为在mosfet的栅极和源极具有寄生电感的同步降低转换器。图1a的图形基于扩展的数学模型，表明效率是高端mosfet rds（on）和负载电流的函数。可以看出高端mosfet最佳的rds（on）值在7mω左右。这里选用了fdz7064s作为高端mosfet，以及两个fdz5047n作为同步整流器。表2是它们的规格说明 电感选择为1μh，这样可以把电流纹波限制在易于处理的范围之内。 布局方案 布局应遵循的主要原则是把所有的寄生效应减至最小。具体如下： pcb寄生阻抗以8层2oz铜皮来处理。在bga封装下面采用通孔，使得开关电流从一开始就进行多层分流，从而大幅减小有效地引线阻抗。 mosfet封装寄生阻抗。这里应该选择bga封装，它比so8和dpak等封装要好几个数量级。pcb寄生电感。和前文一样，在bga封装下面采用通孔，使得 ...
