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  • FF11MR12W1M1B11BOMA1

FF11MR12W1M1B11BOMA1

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:CoolSiC?+
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE技术碳化硅(SiC)
配置2 N-通道(双)FET 功能-
漏源电压(Vdss)1200V(1.2kV)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 毫欧 @ 100A,15V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.55V @ 40mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)250nC @ 15V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7950pF @ 800V
功率 - 最大值-工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型底座安装封装/外壳模块
供应商器件封装模块

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