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FF450R12ME3

  • 制造商:-
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.7 V

参考价格

  • 数量单价
  • 6¥1,615.15
  • 10¥1,453.55
产品属性
描述IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A在25 C的连续集电极电流600 A
栅极—射极漏泄电流400 nA功率耗散2100 W
最大工作温度+ 125 C封装 / 箱体EconoDUAL-3
栅极/发射极最大电压+/- 20 V最小工作温度- 40 C
安装风格Screw工厂包装数量12

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