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  • FGA25N120ANDTU

FGA25N120ANDTU

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IGBT NPT W/DIODE 1200V 25A TO-3P电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开)3.2V @ 15V,25A电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
功率 - 最大310W输入类型标准型
安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装TO-3P包装管件

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