| 描述 | IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.3V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 238 W | 开关能量 | 1.37mJ（开），250μJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 55.5 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 16.8ns/54.4ns | 测试条件 | 400V，40A，6 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 101 ns | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
【Fairchild Semiconductor】FGA70N30TDTU,IGBT PDP 70A 300V TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FGA70N30TTU,IGBT PDP 70A 300V TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FGA70N33BTDTU,IGBT PDP 70A 330V TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FGA90N30DTU,IGBT PDP 300V 10A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FGA90N30TU,IGBT PDP 300V LOW SW-LOSS TO-3P
