| 描述 | IGBT 晶体管 1.1V 30A High Speed | 最大工作温度 | + 150 C |
|---|---|---|---|
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 | 封装 | Tube |
| 集电极最大连续电流 Ic | 60 A | 最小工作温度 | - 55 C |
| 安装风格 | Through Hole |
图2：mosfet全桥 这应用采用了600v的功率开关，故600v超结mosfet非常适合这个高速的开关器件。由于这些开关器件在开关导通时会承受其它器件的全部反向恢复电流，因此快速恢复超结器件如600v fch47n60f是十分理想的选择。它的rds(on) 为73毫欧，相比其它同类的快速恢复器件其导通损耗很低。当这种器件在50hz下进行转换时，无需使用快速恢复特性。这些器件具有出色的dv/dt和di/dt特性，比较标准超结mosfet可提高系统的可靠性。 另一个值得探讨的选择是采用fgh30n60lsd器件。它是一颗饱和电压vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其关断损耗 eoff非常高，达10mj ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的mosfet在工作温度下导通阻抗rds(on) 为100毫欧。因此在11a时，具有和igbt的vce(sat) 相同的vds。由于这种igbt基于较旧的击穿技术，vce(sat) 随温度的变化不大。因此，这种igbt可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。 fgh30n60lsd igbt在每半周期从一种功率转换技术切换到 ...
