| 描述 | FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2 | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 300 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 1.35V @ 15V，75A |
| 功率 - 最大值 | 469 W | 开关能量 | 1.88mJ（开），2.38mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 793 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 48ns/568ns | 测试条件 | 400V，75A，4.7 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 152 ns | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
