描述 | IGBT TRENCH/FS 650V TO220F | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
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电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | - |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 170 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) | 1.88V @ 15V,30A |
功率 - 最大值 | 30 W | 开关能量 | - |
输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 40.3 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 11.2ns/40.8ns | 测试条件 | 400V,30A,5 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | - | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220F-3 |
【Fairchild Semiconductor】FGPF45N45TTU,IGBT PDP 450V 45A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FGPF4633RDTU,IGBT N-CH 70A 330V TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FGPF4633TU,IGBT PDP 330V 300A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FGPF50N30TTU,IGBT PDP 300V 50A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FGPF50N33BTTU,IGBT PDP 120A 330V TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FGPF70N30,IGBT PDP 300V 70A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FGPF70N30TDTU,IGBT PDP 300V 70A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FGPF70N30TRDTU,IGBT 晶体管 N-CH 70V 300V PDP IGBT