| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 34 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 10V | 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | WSMini6-F1-B |
| 供应商设备封装 | WS迷你型6-F1-B | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FJ6K01010L-NDFJ6K01010LTR |
