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FJL4315RTU

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min55
配置Single最大工作频率30 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-264封装Tube
最小工作温度- 50 C功率耗散150000 mW

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