您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fjn13003ta_q

FJN13003TA_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min9 at 500 mA at 2 V
配置Single最大工作频率4 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Ammo
集电极连续电流1.5 A最小工作温度- 65 C
功率耗散1.1 W

fjn13003ta_q的相关型号: