| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 47k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 22k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 56 @ 5mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 500?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率 - 转换 | 250MHz | 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】FJN3308RBU_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/47K 22K
【Fairchild Semiconductor】FJN3308RTA,TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN3309RBU,TRANSISTOR NPN 40V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN3309RBU_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) NPN/40V/100mA/4.7K
【Fairchild Semiconductor】FJN3309RTA,TRANSISTOR NPN 40V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN3310RBU,TRANSISTOR NPN 40V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN3310RBU_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) NPN/40V/100mA/10K
【Fairchild Semiconductor】FJN3310RTA,TRANSISTOR NPN 40V 100MA TO-92