| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 47k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 68 @ 5mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 500?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率 - 转换 | 250MHz | 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】FJN3313RBU_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/2.2K 47K
【Fairchild Semiconductor】FJN3313RTA,TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN3314RBU,TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN3314RBU_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/4.7K 47K
【Fairchild Semiconductor】FJN3314RTA,TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN3315RBU,TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】FJN3315RBU_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/2.2K 10K
【Fairchild Semiconductor】FJN3315RTA,TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92