| 描述 | TRANSISTOR NPN 40V 100MA SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 1mA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率 - 转换 | 250MHz | 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FJV3110RMTF,TRANSISTOR NPN 40V 100MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FJV3111RMTF,TRANSISTOR NPN 40V 100MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FJV3111RMTF_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) NPN/40V/100mA/22K
【Fairchild Semiconductor】FJV3112RMTF,TRANSISTOR NPN 40V 100MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FJV3112RMTF_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) NPN/40V/100mA/47K
【Fairchild Semiconductor】FJV3113RMTF,TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FJV3113RMTF_Q,Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/2.2K 47K
【Fairchild Semiconductor】FJV3114RMTF,TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23