| 描述 | TRANSISTOR NPN 350V SOT-23-3 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 350V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 40 @ 30mA，10V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 50MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FJV992EMTF,Transistors Bipolar (BJT) PNP/120V/50mA
【Fairchild Semiconductor】FJV992FMTF,TRANSISTOR PNP 120V 50MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FJV992FMTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP/120V/50mA
【Fairchild Semiconductor】FJV992PMTF,TRANSISTOR PNP 120V 50MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FJV992PMTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP/120V/50mA