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FJX3012RTF_Q

描述Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Si Transistor Epitaxial封装 / 箱体SOT-323-3
集电极—发射极最大电压 VCEO40 V集电极连续电流0.1 A
峰值直流集电极电流100 mA功率耗散0.2 W
最大工作温度+ 150 C封装Reel
最小工作温度- 55 C

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