| 描述 | Transistors Switching (Resistor Biased) PNP Si Transistor Epitaxial | 安装风格 | SMD/SMT |
|---|---|---|---|
| 封装 / 箱体 | SOT-323-3 | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A | 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 功率耗散 | 0.2 W | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 | Reel | 最小工作温度 | - 55 C |
【Fairchild Semiconductor】FJX597JBTF,IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
【Fairchild Semiconductor】FJX597JCTF,IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
【Fairchild Semiconductor】FJX597JHTF,IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
【Fairchild Semiconductor】FJX733GTF,TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT-323
【Fairchild Semiconductor】FJX733GTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Epitaxial Transistor
【Fairchild Semiconductor】FJX733OTF,TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT-323
【Fairchild Semiconductor】FJX733OTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Epitaxial Transistor