| 描述 | MOSFET N-CH 300V 30A TO3PF | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3800 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 85W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
【WIMA】FKP3C021502C00JA00,薄膜电容器 FKP 3 0.015 uF 63 VDC 4x9x10 PCM7.5
【WIMA】FKP3C021502C00JB00,薄膜电容器 FKP 3 0.015 uF 63 VDC 4x9x10 PCM7.5
【WIMA】FKP3C021502C00JC00,薄膜电容器 FKP 3 0.015 uF 63 VDC 4x9x10 PCM7.5
【WIMA】FKP3C021502C00JD00,薄膜电容器 FKP 3 0.015 uF 63 VDC 4x9x10 PCM7.5
【WIMA】FKP3C021502C00JF00,薄膜电容器 FKP 3 0.015 uF 63 VDC 4x9x10 PCM7.5
【WIMA】FKP3C021502C00JH00,薄膜电容器 FKP 3 0.015 uF 63 VDC 4x9x10 PCM7.5
【WIMA】FKP3C021502C00JI00,薄膜电容器 FKP 3 0.015 uF 63 VDC 4x9x10 PCM7.5
