FM25V10-G

ramtron international corporation宣布其1兆位(mb)、2.0v-3.6v串行f-ram存储器fm25v10-g，业已通过aec-q100 grade 3标准认证，这一严格的汽车等级认证，是汽车电子设备委员会(automotive electronic council)针对集成电路而制定的应力测试认证。目前ramtron公司符合aec-q100标准的存储器产品已增加至15种，这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过grade-3认证确保器件能够在-40℃到+80℃的汽车使用温度范围内正常工作。 fm25v10-g是ramtron公司v系列非易失性f-ram存储器的成员，具有2.0v至3.6v的宽工作电压范围。它是1兆位串行spi器件，工作电流为3.0ma (40mhz下的idd)，采用工业标准8脚soic封装。fm25v10-g在40mhz全总线速率下工作，具有无延迟(nodelay)写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中，1兆位串行闪存和串行eeprom存储器的理想普适型 (drop- ...

世界顶尖的低功率铁电存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发及供应商ramtron international corporation 宣布其1兆位 (mb)、2.0v-3.6v 串行f-ram存储器 fm25v10-g，业已通过aec-q100 grade 3标准认证，这一严格的汽车等级认证，是汽车电子设备委员会 (automotive electronic council) 针对集成电路而制定的应力测试认证。目前ramtron公司符合aec-q100标准的存储器产品已增加至15种，这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过grade-3认证确保器件能够在 -40℃ 到 +80℃ 的汽车使用温度范围内正常工作。 fm25v10-g是ramtron公司v系列非易失性f-ram存储器的成员，具有2.0v至3.6v 的宽工作电压范围。它是1兆位串行spi器件，工作电流为3.0ma (40mhz下的idd)，采用工业标准8脚soic封装。fm25v10-g在40mhz 全总线速率下工作，具有无延迟 (nodelay™) 写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车 ...

世界领先的低功耗铁电存储技术半导体产品开发商及供应商美国ramtron international corporation (简称ramtron) 赢得业界声望卓着的《电子设计技术》杂志2010年度创新奖之最佳产品奖，其通过aec-q100 grade 3标准认证之1兆位 (mb)、2.0v-3.6v串行f-ram存储器 fm25v10-g击败众多竞争对手，获评审小组和数千位《电子设计技术》读者评选为嵌入式系统存储器类别的最佳产品。 汽车电子委员会(aec)集成电路应力测试资格(automotive electronic council’s stress test qualification for integrated circuits)确定了严格的汽车级资格认证。ramtron公司专门针对汽车市场的苛刻要求，扩大了符合aec-q100要求的存储器阵容至15款产品。grade-3资格认证可以确保器件工作在-40 ℃到+85℃的汽车温度范围内。 ramtron公司全球市场推广总监徐梦岚称：“fm25v10标志着我们容量最大符合汽车等级标准的产品出炉。在v系列产品线中增加达到grade 3 ...