| 描述 | F-RAM 20V 4.5A 6.5W w/32K FRAM | 工作温度范围 | - 40 C to + 85 C |
|---|---|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | QFP-44 |
| 封装 | Tube | 访问时间 | 100 KBPs |
| 工厂包装数量 | 96 |
无线联动示意图 三、功能描述 主控芯片采用vrs51l3074-40qbg 1、40-mips 内置64kb flash 存储器和4352字节的sram以及8192字节的非易失性铁电存储器(fram)，满足该系统设计的整体需求 2、独立波特率发生器的uart1与美国mds军工无线数传电台通讯 3、独立波特率发生器的uart2与rs485总线驱动芯片通讯 4、vrs51l3074兼容5v电压的io口控制固态继电器 5、完全可配置的i2c接口（主机/从机）与fm6124-qg通讯，连续监控并保存各继电器历史操作记录，fm6124内置rtc便于在记录中加入时间戳 6、fm1105非易失性状态存储器，用于保存电源掉电前io口控制状态，并上电自动恢复 6.1、提供连续存取非易失性存储器无需执行内存读取操作和特殊io口 6.2、提供信号存储在频率变更和无预知性突发情况下 6.3、非易失性存储器设置无需系统开销和额外的串行内存引脚 7、工业级温度范围 -40°c to +85°c 四、整体功能方块图 五、程序流程图 ...
