您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fmb5551_q

FMB5551_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min80 at 1 mA at 5 V
配置Dual最大工作频率300 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SSOT-6封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散0.7 W

fmb5551_q的相关型号: