您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fmbl1g200us60
  • FMBL1G200US60

FMBL1G200US60

描述IGBT 模块集电极—射极饱和电压2.2 V
在25 C的连续集电极电流200 A栅极—射极漏泄电流100 nA
功率耗散830 W最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体7PM-BB栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C安装风格Screw

fmbl1g200us60的相关型号: