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FMG2G75US120

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IGBT POWER MOD 1200V 75A 7PM-GA配置半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200VVge, Ic时的最大Vce(开)3V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A电流 - 集电极截止(最大)3mA
Vce 时的输入电容 (Cies)-功率 - 最大445W
输入标准型NTC 热敏电阻
安装类型底座安装封装/外壳7PM-GA
供应商设备封装7PM-GA其它名称FMG2G75US120_NLFMG2G75US120_NL-ND

“FMG2G75US120”技术资料

  • 飞兆半导体推出新型1200V IGBT模块

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出两种新型1200v igbt模块 --fmg2g50us120 和fmg2g75us120,电流额定值分别为50a和75a,具有兼顾地优化的导通损耗(vce(sat))与关断损耗(eoff),提供非常低的总体功率损耗,适用范围涵盖焊接设备、不间断电源 (ups),以及工作频率在10khz-30khz的普通逆变器。与使用非穿通型 (npt) 技术的同类元件相比,飞兆半导体的fmg2g75us120可减少功率损耗达20%。(在co2 焊接应用中的测试取得良好效果:20khz 开关频率;380v 3相输入;300a输出;全负载条件下峰值电流为40a;及全负载条件下最大占空比为20%。为了在目标工业应用中达到高可靠性要求,飞兆半导体的新型1200v igbt 功率模块还具有极低的vce(sat) 温度变化偏差。额定值为75a的fmg2g75us120在25 至125°c温度范围内的最大偏差值仅为0.1v。两款1200v器件同时备有全面的10微秒短路耐受时间和矩形反偏压安全工作区域 (rbsoa),进一步提升系统的稳定性。 ...

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