| 描述 | MOSFET N/P-CH | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道，共漏 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 54A（Tc），62A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA，4.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 197nC @ 10V，104nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 25V，5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 89W，132W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | ISOPLUSi5-Pak? |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC? |
