| 描述 | OPTOCOUPLER DARL 1CH 3.3V 8SOIC | 输入类型 | DC |
|---|---|---|---|
| 电压 - 隔离 | 2500Vrms | 电流传输比（最小值） | 400% @ 500?A |
| 电流传输比（最大） | 7000% @ 500?A | 输出电压 | -0.5 ~ 7 V |
| 电流 - 输出 / 通道 | 60mA | 电流 - DC 正向(If) | 20mA |
| Vce饱和（最大） | - | 输出类型 | 有 Vcc 的达林顿晶体管 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | FOD070LFSFOD070LFS-NDFOD070L_NLFOD070L_NL-ND |
压高得多，这样整个达林顿管的饱和电压就特别的高，因此达林顿管导通时的功耗较高。 仙童半导体（fairchild）的达林顿光耦合器采用隔离达林顿输出配置，将输入光电二极管 和初级增益与输出晶体管分隔开来，以实现较传统达林顿光电晶体管光耦合器更低的输出饱 和电压 (0.1 v) 和更高的运作速度。该公司推出5种最新产品，采用单及双沟道配置，提供3.3 v或5 v工作电压的低功耗特性。双沟道hcpl0730和 hcpl0731光耦合器提供5 v电压操作和soic8封装，能实现最佳的安装密度。单沟道fod070l、fod270l及双沟道fod 073l器件的工作电压为3.3 v，比较传统的5 v部件，其功耗进一步减少33%。nec公司的芯片ps2802.1/4，ps27021，ps25021/2/4，ps25621/2等也属于达林顿光耦合器。 2.4基于mos或igbt的无触点开关 基于mos场效应管的无触点开关由于耦合方式不同有很多类，例如采用光电耦合方式的称为光耦合mos场效应管（ocmos fet），原理如图5所示，虚线框内为ocmos fet的内部原理图。 电路内部包括光生电压单元，当 ...
