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FP10R12W1T4

  • 制造商:-
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Array 7
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 在25 C的连续集电极电流:20 A
产品属性
描述IGBT 模块 N-CH 1.2KV 20A最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体EASY1B栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C安装风格Screw

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