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FP10R12W1T4

制造商：-
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
在25 C的连续集电极电流：20 A

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产品属性

描述	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 20A	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	EASY1B	栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
最小工作温度	- 40 C	安装风格	Screw

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