| 描述 | MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 5 N 沟道（太阳能逆变器） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 27A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 250W | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | F1 模块 |
| 供应商器件封装 | F1 |
【Fairchild Semiconductor】FPF2000,IC SW LOAD FULL FUNC 50MA SC70-5
【Fairchild Semiconductor】FPF2000_Q,电源开关 IC - 配电 Full Function Load Switches
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