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FPN530_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor Low Saturation直流集电极/Base Gain hfe Min100 at 100 mA at 2 V
配置Single最大工作频率150 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-226封装Bulk
集电极连续电流3 A最小工作温度- 55 C
功率耗散1 W

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