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FPN660A_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
最大直流电集电极电流：3 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation	直流集电极/Base Gain hfe Min	70 at 100 mA at 2 V
配置	Single	最大工作频率	75 MHz
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-226	封装	Bulk
集电极连续电流	3 A	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1 W

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