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  • FQA11N90C

FQA11N90C

描述MOSFET N-CH 900V 11A TO-3PFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)900V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.1 欧姆 @ 5.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3290pF @ 25V
功率 - 最大300W安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3供应商设备封装TO-3P
包装管件其它名称Q2658628A

“FQA11N90C”电子资讯

  • 2010年7月23日维库电子市场网IC报价

    产品型号厂 家封 装批 号数 量价 格供应商 p87lpc762bdnxp smd20 0750+ 20 8.00元汕头市冰河电子商行top224ynpower to-220 10+ 200 8.00元深圳雅思睿电子科技有限公司rhrg3060cc original 2008+ 200 15.00元深圳市安祥威电子有限公司fqa11n90c仙童 08+ 08+ 150000 6.50元深圳市金立达电子有限公司fdp3632fsc to-220 07+ 100 10.00元深圳市汇通伟业电子有限公司fqa11n90c仙童 to-3p 09+ 6.50元深圳市金立达电子有限公司si4442dy-t1-e3vishay sop-8 08+/09+ 130000 1.00元钊晟鑫电子经营部si4470ey-t1-e3vishay sop-8 08+/09+ 30000 1.00元钊晟鑫电子经营部cs5343cirruslogic tssop 09+ 20000 3.25元深圳市伟格兴电子科技有限公司si4966dy-t1-e3vishay sop-8 08+/09+ 50000 0.90元钊晟鑫电子经营部i ...

“FQA11N90C”技术资料

  • 确定功率MOSFET的适用性

    和脉冲宽度而变化。在某指定时刻的热阻叫做瞬态热阻,并由下式表达: z_{ jc}(t)=r(t) r_{ jc} (2) 这里,r(t)是与热容量相关,随时间变化的因子。对于很窄的脉冲,r(t)非常小;但对于很宽的脉冲,r(t)接近1,而瞬态热阻接近稳态热阻。大多数功率 mosfet 的数据表都具有与图 5 类似的图表。 按照这个曲线,结区温度可由下式算出: t_{j}=p_{d}z_{ jc}(t)+t_{c] (3) 例如,当施加1 s 的2kw 功率脉冲于 fqa11n90c 时上升温度的计算,可由下式表达: t=p_{d}z_{ jc}(1 s)=2000 1.49 10^{-3}≈3℃ 虽然施加的功率并不小,但温度只升高了 3 ℃。注意:该数据表中给出的额定功耗是稳态额定功耗,而且在脉冲宽度较窄时,功率 mosfet 甚至能承受更大的功率脉冲。不过,在上面的例子中,功率脉冲宽度(t1)为1 s的瞬态热阻没有纳入图 5 中。在脉冲时间太短及超出图示范围的情况下,单一脉冲的瞬态热阻与时间的平方根成正比,即 z_{ jc}(1 s)由下式给出: 其中z_{ jc ...

“FQA11N90C”DZBBS

  • MOSFET的实际击穿电压一般比额定值能高出多少?

    结区能耗r_{ jc}:稳态下结区至管壳的热阻不过在很多应用中,功率 mosfet 中的能量是以脉冲方式耗散,而不是直流方式。当功率脉冲施加于器件上时,结区温度峰值会随峰值功率和脉冲宽度而变化。在某指定时刻的热阻叫做瞬态热阻,并由下式表达:z_{ jc}(t)=r(t) r_{ jc} (2)这里,r(t)是与热容量相关,随时间变化的因子。对于很窄的脉冲,r(t)非常小;但对于很宽的脉冲,r(t)接近1,而瞬态热阻接近稳态热阻。大多数功率 mosfet 的数据表都具有与图 5 类似的图表。图5 fqa11n90c器件的瞬态热响应曲线(略)按照这个曲线,结区温度可由下式算出:t_{j}=p_{d}z_{ jc}(t)+t_{c] (3)例如,当施加1 s 的2kw 功率脉冲于 fqa11n90c 时上升温度的计算,可由下式表达:t=p_{d}z_{ jc}(1 s)=2000 1.49 10^{-3}≈3℃ 虽然施加的功率并不小,但温度只升高了 3 ℃。注意:该数据表中给出的额定功耗是稳态额定功耗,而且在脉冲宽度较窄时,功率 mosfet 甚至能承受更大的功率脉冲。不过,在上面的例子中,功率脉冲宽度(t1 ...

fqa11n90c的相关型号: