| 描述 | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 750 毫欧 @ 6.3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 88nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3PN |
| 包装 | 管件 |
，并联的任务是使每只功率管的结温小于极限值并工作在安全工作区内。除采取相关措施外，并联的功率管必须降额使用。为提高可靠性，并联管子的数量越多，降额越大，使冗余量加大。三只管子以上并联时，每只管子应降额25%以上。 如果受空间限制，不允许有过多的功率管并联，则需要按开通阈值vth筛选功率管，使配组使用的管子vth差别在10%以内。这样功率管的电流降额幅度可适当减小。 5 实验结果 实验电路原理见图4。移相全桥zvzcs电路中的超前臂开关管q1， q3分别采用四只fairchild公司mosfet（fqa13n80）并联，滞后臂开关管q2，q4分别采用三只ir公司igbt（irg4pf50w）并联。图5为主变压器原边电流的实测波形。电流波形的前沿尖峰是由于主变压器副边整流管在换流结束后的反恢复特性引起的。通过遵循第2，3节中提到的一些保证均流措施，并联功率管的均流度可以保持在±10%范围内。 本文摘自《半导体技术》 来源:零八我的爱 ...
【Fairchild Semiconductor】FQA13N80_F109,MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA140N10,MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA14N30,MOSFET N-CH 300V 15A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA160N08,MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA16N25C,MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P