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  • FQA24N50

FQA24N50

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PNFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V功率 - 最大290W
安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装TO-3PN包装管件

“FQA24N50”电子资讯

  • 至于你信不信,飞捷反正是信了 旺季即将到来!

    吧。 金九银十季节旺季即将到来,至于你信不信,飞捷反正是信了。 一般做外贸的是9月开似乎备货,10月开始生产,船运到欧美大概是要一个月的样子,就到11月了,在分销到各个卖场估计也就是12月了,刚好在圣诞节销售。 6月穷,7月绝,8月上吊,这个是做电子的民谣,虽然现在宏观经济不是很好,但到了9月,10月不管市场多差,都会有个季节性的反弹,飞捷现在备足库存,有些型号做特价销售, fsbb30ch60f 79人民币 rhrp860 1.5rmb fqa24n50 7.8rmb fgl40n120 19rmb 等等,如对价格有任何异议,欢迎来电谈价。13902969450 杨生 建议客户可以备货,积极应对后面的价格波动。到了9月,10月价格会有一定的涨幅,至于你信不信,飞捷反正是信了。 ...

“FQA24N50”技术资料

  • 利用开关器件提高PFC效率的实现

    黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。 使用高压superfet和一个sic肖特基二极管组成的ccm pfc测试电路,具体地说,将fairchild公司的600-vn沟道superfet mosfet(fca20n60)和6a sic肖特基二极管组合,与平面型mosfet(fqa24n50)和超高速二极管(rurp860)组合进行比较,比较内容为开关损耗与功效。此测试电路的工作频率100khz,输出电压和电流分别为400v与1a.导通时superfet的栅电阻是12ω,关断时为9.1ω。 分别测量mosfet与二极管的电压和电流来估算元件的功率损耗。并且量测输入与输出功率来计算系统的功效。满负荷下,mosfet信号波形由高电平向低电平跃迁时,输入为110vac,开关损耗通过vds与id的交叉区来测量。superfet开关时间大大地降低。平面型mosfet的关断损耗为159μj ...

  • 500W铅酸蓄电池充电器设计与制作

    简单,技术成熟,故选用boost结构; 芯片选择:ti公司的ucc28019可控制功率输出为100w-2kw,功率因数可提高到0.95,符合设计要求,故此次设计选用该款芯片; 电路图 dc-dc主拓扑结构: 方案选择: 在开关管承受峰值电流和电压的情况下,全桥输出功率为半桥的两倍,并切在功率大于500w时,全桥相对于半桥更合适,故本次设计采用全桥拓扑。 功率开关管选择: 经过整流滤波后电压最大值为373v,最大初级电流为3.5a 考虑实际工作情况选择fqa24n50 (24a/500v/0.2ω) 输出整流二极管: 整流二极管要承受的最大反相电压为100v,电流为10a,考虑实际工作情况,我们选用mur3060(600v/30a) 全桥电路图: 整流滤波输出电路: 驱动电路: pwm信号通过光耦隔离,经过反相器进入半桥驱动芯片ir2110 ,如图所示的q1、q2半桥驱动电路,q3、q4驱动电路与此电路相同。 辅助电源供电: 本设计系统供电采用另制辅助电源,系统框图如下: 本供电系统 ...

“FQA24N50”DZBBS

  • 上电烧mos管的问题求助,在线等,急,

    上电烧mos管的问题求助,在线等,急,我用mos管来控制直流无刷电机,在调试上电时,电源板烧mos管,mos管我用的是fqa24n50,并且是在空载的情况下,我还没有找到问题,请同仁们,帮我看看,我的原理图有问题没有, ...

  • 新到一批FSC.ST场效应管.全新原装.意想不到的特价.

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fqa24n50的相关型号: