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  • FQA34N20L

FQA34N20L

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 34A TO-3PFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C34A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 17A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds3900pF @ 25V功率 - 最大210W
安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装TO-3P包装管件

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