| 描述 | MOSFET N-CH/600V 8.7A/1OHM | 漏极连续电流 | 7 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 1.4 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-3P | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 55 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 8 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 173 W |
| 上升时间 | 50 ns | 工厂包装数量 | 30 |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80,MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80_F109,MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N80C_F109,MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N90,MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N90_F109,MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA7N90M_F109,MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P