| 描述 | MOSFET 800V N-Channel QFET Q-FET | 漏极连续电流 | 8.4 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 1.2 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-3P | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 80 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 8.8 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 220 W |
| 上升时间 | 110 ns | 工厂包装数量 | 30 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns | 零件号别名 | FQA8N80_NL |
