| 描述 | MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 900V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.9 欧姆 @ 2.9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 52nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1880pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.13W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D?PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQB70N08TM,MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB70N10TM_AM002,MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB7N10LTM,MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB7N10TM,MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB7N20LTM,MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQB7N20TM,MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK