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  • FQB8P10TM

FQB8P10TM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1600$0.3984
描述MOSFET P-CH 100V 8A D2PAKFET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C530 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds470pF @ 25V功率 - 最大3.75W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D?PAK包装带卷 (TR)

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