| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 360 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD10N20CTM_F080,MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD10N20LTF,MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD10N20LTM,MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD10N20TF,MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD10N20TM,MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD11P06TF,MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD11P06TM,MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
