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  • FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.2391
  • 5000$0.22262
  • 12500$0.21437
  • 25000$0.20613
  • 62500$0.20283
描述MOSFET N-CH 60V 11A DPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C115 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs6.4nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252-3包装带卷 (TR)
其它名称FQD13N06LTM-NDFQD13N06LTMTR

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