| 描述 | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 15.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD19N10LTM-NDFQD19N10LTMTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TF,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TM,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TM_F080,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1N50TF,MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1N50TM,MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1N60CTF,MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD1N60CTM,MOSFET N-CH 600V 1A DPAK