| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD2N80TMTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD2N80TM_WS,MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N90TF,MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2N90TM,MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2P40TF,MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD2P40TF_F080,MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
