您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fqd30n06ltm
  • FQD30N06LTM

FQD30N06LTM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 24A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 12A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1040pF @ 25V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

fqd30n06ltm的相关型号: