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  • FQD3P20TM

FQD3P20TM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAKFET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 欧姆 @ 1.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 25V功率 - 最大2.5W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)

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