| 描述 | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 欧姆 @ 1.55A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 420 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
【Fairchild Semiconductor】FQD4P40TF,MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD4P40TM,MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD5N15TF,MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD5N15TM,MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD5N20LTF,MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD5N20LTM,MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD5N20TF,MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK