描述 | MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 690 毫欧 @ 2.65A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FQD7N20TM_F080,MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N30TF,MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N30TM,MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7P06TF,MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7P06TM,MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7P06TM_F080,MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7P06TM_NB82050,MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7P20TF,MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK