| 描述 | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.7A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 690 毫欧 @ 2.85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 770pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQD7P20TM-NDFQD7P20TMTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD7P20TM_F080,MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD8N25TF,MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD8P10TF,MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD8P10TF_NB82052,MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD8P10TM,MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD8P10TM_F080,MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD8P10TM_F085,MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
【Fairchild Semiconductor】FQD8P10TM_SB82052,MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK