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FQD9N08LTM

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.21 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体DPAK
封装Reel下降时间30 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间180 ns典型关闭延迟时间13 ns

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