描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.18 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
封装 | Rail | 下降时间 | 25 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.75 W |
上升时间 | 55 ns | 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI13N50CTU,MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI15P12TU,MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI16N25CTU,MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI17N08LTU,MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI17N08TU,MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK