| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.1 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
| 封装 | Rail | 下降时间 | 165 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.75 W |
| 上升时间 | 150 ns | 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI19N20CTU,MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI19N20TU,MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI1P50TU,MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI27N25TU,MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI27N25TU_F085,MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK